据报道，三星和SK海力士计划升级在大陆的工厂，以生产逾200层的NAND Flash芯片，来应对大陆竞争对手的崛起，并满足AI领域的增长需求。

三星向路透确认，相关升级工作正在推进。知情人士表示，三星西安工厂目前主要生产约200层的NAND闪存，该工厂目前约占三星全球NAND闪存产量的40%。三星正通过内部代号为“Monami”的计划，升级西安工厂以生产286层的V9 NAND产品，目标是在今年12月月产能5000片，并在2027年12月提高至月产能4万片。

SK海力士则表示在与美国政府沟通后，其大连工厂的设备安装工作持续进行。SK海力士计划将其大连工厂的NAND芯片改为生产240层或以上的产品。该厂房由SK海力士于2021年收购英特尔NAND业务而来。

不过，两家工厂均未透露具体生产计划的细节，也未公开对外发布相关消息。