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美光HBM4产能爬坡进展顺利

来源:综合报道    2026-05-26
美光第六代高带宽内存(HBM4)的产能爬坡速度是去年的HBM3 12层产品的两倍,良率正在更快地改善。

5月25日消息,美光科技全球运营副总裁玛尼什·巴提亚表示,美光第六代高带宽内存(HBM4)的产能爬坡速度是去年的HBM3 12层产品的两倍,良率正在更快地改善。

该产品将装载于英伟达的AI运算平台Verra Rubin上。巴提亚还称,下一代HBM4E产品的开发进展顺利,预计明年将开始量产。