JETKepler 是由稷以科技自主开发的12寸IC前段工艺表面氧化/氮化设备。主要应用于晶圆刻蚀及高温等离子表面氧化、氮化。适用领域为300mm IC。

JETKepler 运行特点：

①各向同性表面处理:氧化/氮化/还原/提高薄膜密度/去除刻蚀残留/降低IC Rs Isotropic surface modification:oxidation/nitridation/reduction/filmdensify/etch residue removal/Rs reduction

②极佳的台阶覆盖率 Excellent step coverage

③高密度低损伤等离子系统 High plasma density, low damage system

④极佳的温度均匀性 Excellent temperature uniformity

⑤高产能、更长的MTBC Higher productivity，longer MTBC

⑥更低的拥有和运营成本 Longer CoO/CoC

JETKepler 技术参数：

①Wafer: 12 inch

②Substrate Film: Si, SiN, SiO2, TiN, W…

③Application: Oxidation, Nitridation, reduction in DRAM ; NAND; Logic IC ….