据Rapidus官网消息，7月18日，Rapidus宣布启动 2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。

据悉，Rapidus首块2nm GAA晶圆直径30厘米，此次公开的晶圆仍处于中间阶段，仅包含部分必要功能。Rapidus计划进一步改善晶体管性能，争取在年内完成开发。

此外，Rapidus正在开发与其2nm工艺兼容的PDK（工艺开发套件），计划2026年一季度结束前向客户交付。该企业2027年实现2nm量产的计划没有改变。

据了解，Rapidus由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、Denso、铠侠、三菱UFJ等8家日本企业共同出资成立，目标是开发和生产最先进的半导体工艺。其首座晶圆厂IIM-1于2023年9月1日奠基，2024年12月完成了洁净室准备，2025年4月1日实现了初始图案的曝光与显影，并在2025年6月完成了由200多个制造单元构成的生产线。