与传统EUV曝光设备相比，高数值孔径EUV曝光设备具备更先进的微细化处理技术。此次引入到联合研究实验室的涂布显影设备，搭载多项全新功能，不仅能与常用的化学增强型抗蚀剂和底层膜兼容，也能够与涂层型含金属抗蚀剂兼容。涂层型含金属抗蚀剂具有高分辨率和高耐蚀刻性，经过反复验证，有助于实现更精细的图案化。另一方面，由于含金属抗蚀剂对图案尺寸和晶圆背、斜面的金属污染有严格限制需求，这次引入联合研究实验室的涂布显影设备，配置了处理含金属抗蚀剂的全新工艺模块，能够解决上述技术难题。

搭载全新工艺模块的 TEL 涂布显影设备，单台设备即可集成处理化学增强型抗蚀剂、含金属抗蚀剂和底层膜等多种材料，实现晶圆厂的灵活运行、以及设备的高生产和高运转。

此外，TEL与抗蚀剂材料供应商建立合作伙伴关系，充分发挥设备组合的跨工艺优势，提供涵盖蚀刻工艺以及光刻工序的涂布显影工艺的全面图案化解决方案。

imec 高级图案化、工艺和材料副总裁Steven Scheer表示：“此次TEL和imec的合作，在使用涂层型抗蚀剂识别和去除 EUV 图案化中的关键缺陷问题上具有重大意义，这将对量产后的EUV引入具有深远作用。随着抗蚀膜变薄、图案尺寸变小，减少缺陷在高数值孔径EUV图案化过程中变得更加重要。因此，imec很荣幸能在高数值孔径EUV联合研究实验室中与TEL及其他抗蚀材料供应商合作，这有助于加速高数值孔径EUV的市场化应用。”

<TEL代表取缔役社长兼CEO河合利树(左)与imec 社长兼CEO Luc Van den hove(右)就先端涂布显影设备引入imec-ASML的高数值孔径EUV联合实验室的合作签署合作备忘录>