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总投资93亿美元 美光扩建先进存储芯片项目

来源:综合报道    2026-07-06
项目总投资达1.5万亿日元(约合93亿美元),旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片,以满足人工智能(AI)浪潮带来的旺盛需求。预估2028年投产。

7月4日,美光科技正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。

项目总投资达1.5万亿日元(约合93亿美元),旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片,以满足人工智能(AI)浪潮带来的旺盛需求。预估2028年投产。

根据公开文件,日本经济产业省(METI)针对该半导体扩建项目,最高提供5000亿日元(现汇率约合210.38亿元人民币)支持,项目建设方为美光科技。

美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示,“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆,就是在广岛制造的。”

美光表示,日本工厂扩建后,将有助于提升面向人工智能服务和自动驾驶汽车所需芯片的能效和数据传输效率。