在2025年SEMICON China展会，天岳先进全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底。12英寸衬底面积约为8英寸衬底的2.25倍，在大规模生产中，单片12英寸衬底所能产出的芯片数量远高于8英寸片，使得长晶、加工、抛光等环节的单位成本大幅降低。

12英寸碳化硅衬底的直径约为300毫米。它是制造碳化硅半导体器件的基础材料，通过在衬底上生长外延层、制作电路等工艺，可制成各种碳化硅器件。

一是12 英寸导电 N 型碳化硅衬底，是功率器件领域的常用类型，能助力光伏储能、5G 基站等领域实现器件小型化与能源高效转换；二是12 英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底，兼具高绝缘性与稳定的物理特性，适配高频器件、先进封装中介层等场景；三是12 英寸导电 P 型碳化硅衬底，作为全球首展的该类型产品，可用于特定功率器件制造，适配新能源汽车、智能电网等高压应用场景的特殊电路设计需求。