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总投资20亿元,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约

来源:综合报道    2026-04-09
项目计划总投资20亿元,主要从事InP激光器和光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造。

据“太仓发布”公众号消息,4月8日,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户城厢镇。项目计划总投资20亿元,其中,一期项目总投资10亿元,建成后将有力助推区域产业能级提升、未来产业发展。

据悉,项目主要从事InP激光器和光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造,打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链。一期项目预计今年8月开工建设、2028年投产运营,达产后可实现年产值超10亿元。