据日媒报道，佳能计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提升50%。

报道称，佳能将扩大宇都宫事业所内新工厂的生产，并提升生产效率，以及持续开发大型基板对应产品。

该企业正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，还开发了一种分辨率达0.8μm(800nm)的大尺寸基板光刻机台，能处理 510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。

佳能半导体设备事业部负责人表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。