自安森美官微获悉，12月19日，安森美宣布已与格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。

据介绍，此次合作将安森美行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，与格罗方德200毫米硅基GaN平台相结合，为高增长市场打造全新650V功率器件。这些GaN产品搭配安森美的硅基驱动器和控制器，将助力客户实现创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景构建更小、更高能效的功率系统。计划于2026年上半年开始向客户提供样品，并快速扩大至量产规模。

此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天等领域日益增长的功率需求。如今已涵盖了全谱系GaN技术——从低压、中压、高压横向GaN，到超高压垂直GaN。