8月6日，中国台湾存储芯片厂商华邦电子召开法说会时说明，该公司董事会已通过高雄厂Module B（二期厂房）建设计划，预计2027年1月动工，2029年量产。

华邦电子总经理陈沛铭表示，由于客户抢签长约（LTA）排到2028年至2030年，华邦电子已启动高雄Module B（二期厂房）计划，将“分阶段装机”推进。二期洁净室面积约为3万平方公尺，为一期的两倍，最高可容纳5万片至6万片月产能。

新厂房预计2027年1月动工，2029年1月装机，并于2029年底正式量产，主攻14nm及下一代12nm，且将在第二阶段正式导入EUV设备，提前布局2030年后的先进存储市场。

董事会通过资本支出预算共新台币130亿7382万，内容包括生产设备、研发设备、厂务设施工程及资本化租赁资产，预计自今年8月起陆续投资，资金来源包括自有资金及银行融资。

面对全球存储供不应求的市况，华邦电子高雄厂Module A产能正由1.5万片加速扩充至年底的2.4万片，主要为20nm与25nm制程，未来将进一步导入16nm，总出货量有望实现翻倍。陈沛铭表示，在高雄厂扩产的同时，华邦电子同步将台中厂DRAM产能由1.2万片降至7000片，实现区域生产调配。