在摩尔定律的推动下，半导体制程线宽每年缩小，性能不断提升，目前，高端市场被7nm、10nm、14nm、16nm占据，intel 7nm 进展顺利，台积电5nm已进入量产阶段。FinFET工艺已经发明多年，负电容场效应晶体管(NCFET)等新技术是否能继续推动产业发展？本届先进制造论坛邀请了国内外顶尖晶圆厂、产业链公司等共同探讨。

论坛由西盟半导体设备（上海）有限公司总经理兼法人代表徐若松主持。

北方华创战略发展副总裁王娜带来了《三维集成领域设备工艺解决方案》，在集成电路领域中，随着纳米级的减少，设计成本递增，竞争企业越来越少。为延续摩尔定律，三维集成工艺的先进封装成为了创新关键。王娜指出，TSV在高端市场的实际增长率很有可能超过现有数据58%。随着市场需求持续增长，北方华创在蚀刻、PEALD、PVD镀膜、退火、单一/批量晶片清洗设备系统方面有诸多优势，在提出三维集成领域设备工艺解决方案的同时，北方华创仍在不断突破工艺限制，旨在共创开放式未来。

英特尔存储设计、技术和研发部副总裁卢东晖博士指出，在新的数据中心时代，推动内存技术和存储架构的创新是英特尔的关键业务战略之一。卢东晖博士在《Reaching New Heights: Intel 3D NAND Technology》介绍了英特尔在3D NAND领域的最新发展，扩展3D NAND组合最新推出的SSD 670p使其进入了一个突破性领域。但由于技术进步和成本上升是不可持续的，卢东晖博士表示生产力是王道，英特尔将不懈专注于解决集成电路领域中面临的各项挑战。

在《打造基于策略和能力中心的先进半导体制造系统》的演讲中，紫光展锐（上海）科技有限公司高级副总裁刘志农认为，一家有目标的公司应该以IPD-SCM流程体系为基础，供应安全、技术领先、成本优势为支柱，再配合供应链策略建设基于策略和能力中心的先进半导体制造平台。随后刘志农从业务模式、新产品导入流程、工程工艺能力建设、制造设计协同审视、降成本工程五个方面介绍了先进半导体制造系统框架。最后刘志农表达了持续精进，打造世界一流的先进制造能力中心的美好愿景。

海力士产业投资首席李丙德发表了题为《以资本市场国际合作促进国内先进制造生态链建设》的演讲，目前的半导体行业没有任何一个国家可以独立支撑起半导体产业，建立区域内半导体生态系统迫在眉睫。但如今新半导体制造生态建设面临彼此不信赖的障碍，资本市场加速进入半导体行业推动了跨地区半导体生态国际合作进程。李丙德解释说：跨国投资机构的合作，可以缓解各利益主体间的利害冲突，建立可实现共赢的生态体系。

北京大学教授、博士，北京大学深圳系统芯片设计重点实验室主任何进围绕《从GMT到LMC的芯片技术进步和EDA发展新方向》主题，指出随着大数据时代来临，数字新基建助力芯片发展新业态，智联万物成为趋势，AI芯片成为热门话题，光子存算芯片成为未来发展方向。IRDS时代的来临标志着我们走进了后摩尔时代，但节点末日的认知完全错误，何进博士提出，LMC密度新指标无自然终点，摆脱了使用节点和GMC作为标签来描述半导体技术进步的困惑。社会对电子系统的需求会不断加大，因此半导体行业仍会不断进步。

离子注入机在半个多世纪中经历风云变幻、大浪淘沙，现如今，离子注入工艺已经广泛应用于集成电路领域，北京烁科中科信电子装备有限公司副总经理谢均宇带来了《国产离子注入设备发展路径探讨》，由于未来逻辑/存储器件、CMOS图像传感器(CIS)及功率器件对离子注入工艺的更高要求，烁科装备坚定发展方向，努力提高可持续发展能力，对离子注入工艺进行不断创新以满足更高需求。