11月7日消息，据韩媒ddaily引述半导体业界消息人士透露，SK海力士将在HBM3E为核心的生产线效率化完成后，具体制定为引进1c DRAM工艺的设施调整和设备部署计划。

报道称，SK海力士内部正在制定工艺小型化战略，以增加1c DRAM过渡阶段的EUV（极紫外）曝光工艺层数，并考虑重新调整设备配置，以提高光刻、蚀刻和清洗等核心设备的精度。

据悉，1c DRAM工艺是10nm级第六代工艺节点，可进一步缩小电路线宽并提高电源效率。