Primo Twin-Star^® 是中微基于ICP电感耦合技术研发的 12 英寸刻蚀设备。最多可配置三个双反应台的刻蚀腔和两个可选的除胶腔。每个刻蚀腔可同时加工一片或两片晶圆并取得高度一致的结果。天线采用了中微独特的低电容耦合三维 LCC 3D 线圈设计，实现对离子浓度和能量的高度独立控制。设备还采用了动态温控的ESC，使得晶圆的关键尺寸达到高度均匀性。刻蚀腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料，以获得更高的工艺重复性和生产率。Primo Twin-Star^® 适用于功率等特殊器件中的各种深硅结构以及逻辑和存储芯片中的导体和介质薄膜刻蚀。此外，该产品和单反应台腔体相比还具有明显的成本优势。