据山东国镓晶谷半导体科技有限公司官微消息，近日，山东国镓晶谷基于两项核心自主创新技术：氧化镓孪晶与典型缺陷抑制技术和AI自动晶体生长批量化制备技术，采用优化的导模法成功制备出6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶。经国内权威第三方检测机构验证，该单晶的高分辨XRD摇摆曲线半高宽为64.8 arcsec，晶体质量达到国际领先水平。

氧化镓作为第四代超宽禁带半导体核心材料，因其优异的高耐压、大电流、低损耗及抗辐照等特性，在数据中心、特高压输变电、新能源汽车等领域具有广阔的应用前景。

据悉，本次氧化镓单晶制备技术的突破，并非简单的尺寸放大，而是彻底打破了“孪晶缺陷”和“晶面单一”的双重限制，标志着其成为全球少数掌握2-6英寸全系列0孪晶氧化镓单晶制备技术的企业之一。