据国防科大官微消息，近日，国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与合作单位共同研究，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代独立自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。

化学气相沉积法生长单层WSi₂N₄半导体薄膜

据悉，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4薄膜的可控生长，材料兼具优异的化学稳定性。其研发的新方法将畴区尺寸提升至亚毫米级，生长速率较已有文献报道值高出约3个数量级。

研究结果表明，单层WSi2N4作为新型高性能P型沟道材料，在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景。