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三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程

来源：综合报道    2026-03-13
消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。

据台湾电子时报，消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。