据纵慧芯光官微消息，9月10日，纵慧芯光高端光通讯芯片项目（FabX）在武进国家高新区顺利竣工并正式投产。该项目致力于高端化合物半导体芯片的研发与制造，将为区域集成电路产业补链强基、抢占高端赛道注入新动能。

据悉，FabX项目总投资5.5亿元，占地40亩，总建筑面积达2.8万平方米。此前消息显示，项目将建设一条年产能为5000万颗芯片的半导体高速通信光芯片3英寸生产线，同时配备先进的研发中心和测试中心。全面达产后，将实现砷化镓和磷化铟芯片的规模化生产，极大增强公司在化合物半导体领域的制造能力，进一步夯实我国相关产业链自主可控、安全可靠的发展基础。

纵慧芯光表示，这不仅是一次产能的扩张，更是公司深化战略布局、扎根光通信领域的关键举措。未来，FabX将致力于支持国家信息基础设施、金融安全与智慧交通等关键领域的芯片需求，为科技自立自强提供坚实支撑。