自美光官网获悉，当地时间2月25日，美光(Micron)宣布已成为业内首家向合作伙伴与客户交付其基于下一代CPU的1γ（1-gamma）、第六代（10nm 级）DRAM 节点型DDR5内存样品的公司。旨在提供创新，为未来的计算平台提供动力，从云到工业和消费类应用，再到AI PC、智能手机和汽车等边缘AI设备。

声明中称，美光1γ DRAM节点将首先用于其16Gb DDR5 DRAM，并随着时间的推移集成到美光的内存产品组合中，以满足行业对高性能、高能效AI内存解决方案的加速需求。16Gb DDR5产品可提供高达9200MT/s的速度能力，与前代产品相比，速度提高了15%，功耗降低了20%以上。

据介绍，美光的1γ DRAM节点采用了新一代高K金属栅极CMOS技术，该技术能有效提高晶体管性能。此外，新一代内存通过极紫外光刻（EUV）与工艺创新，使比特密度提升超30%，有效提升内存供应效率。

（图源：美光Micron）