近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）正式发布其全新产品——Primo Matrix^®双反应台等离子体晶圆切割设备，并宣布首台设备已顺利付运国内重要集成电路封装客户。

中微公司Primo Matrix^® 采用在量产已得到充分验证的Primo TSV®的等离子体深硅刻蚀技术，集成双反应台刻蚀腔室及晶圆传输模块，兼具高产能、高精度、低成本和灵活的工艺适配能力。

此设备兼容带框架200mm、300mm晶圆高效率切割需求，在满足加工性能的同时，实现高产能，高设备集成度与低生产成本。在切割精度方面，此设备可适用于最小到5μm的不同切割道宽度工艺，大幅减少晶圆面积损耗，提升有效芯片产出，满足芯片微型化趋势下的高精度晶圆切割需求。在工艺兼容性方面，此设备支持25–700μm晶圆厚度范围，覆盖超薄晶圆与常规厚度晶圆的切割需求，适用于晶圆减薄后切割及多种先进封装工艺。同时，设备以300mm晶圆为主要加工平台，向下兼容200mm晶圆切割工艺，提升了在不同尺寸晶圆生产线中的应用灵活性。

Primo Matrix^® 依托中微公司成熟的 Primo 平台打造，系统最多可搭载 6 个刻蚀反应台，适配长工艺时间需求，为客户实现高产能生产。此外，Primo Matrix^® 支持带凸点晶圆正面等离子体切割、激光开槽后等离子体切割及晶圆背面刻蚀等典型工艺，满足不同晶圆结构、工艺流程及封装应用需求。此设备同时具备介质层等硬掩膜开口刻蚀能力，可适配具有介质层及复杂表面结构的晶圆加工需求，进一步拓展了其工艺应用范围。

该产品的成功发布与付运，不仅进一步丰富了中微公司在先进封装设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路封装产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的芯片封装提供了关键工艺设备保障。

目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升，企业发展迈入规模化新阶段。