据湖南日报消息，日前，中低压功率器件产业化建设项目通线仪式在株洲举行，意味着其8英寸SiC产线实现投产。

据悉，中低压功率器件产业化建设项目以株洲中车时代半导体有限公司作为实施主体，总投资53亿元，达产后将新增年产36万片碳化硅功率器件产能。重点突破精细光刻、沟槽刻蚀、高温栅氧、高温离子注入、大尺寸SiC减薄五大核心工艺技术，不仅可满足第三代、第四代碳化硅产品的规模化量产需求，更前瞻布局第五代、第六代技术研发，持续引领行业技术创新。

据称，中低压功率器件产业化建设项目是最新一代中低压功率器件技术的产业化平台，项目通线后将有力推动电动汽车、新能源发电等领域核心器件自主化进程。