联发科于上周五法说会中确认,在AI ASIC专案中采用英特尔EMIB-T先进封装技术。
EMIB-T是英特尔EMIB 2.5D封装的升级版本,通过硅桥、多层布线和硅穿孔(TSV)技术取代大面积硅中介层,并支持HBM整合及不同封装方案间的设计转换。
值得一提的是,联发科采用台积电CoWoS封装,也同步导入英特尔EMIB-T先进封装技术,代表公司封装策略朝向多元化发展,以多技术路径协助客户开发高性能、大尺寸ASIC。
联发科于上周五法说会中确认,在AI ASIC专案中采用英特尔EMIB-T先进封装技术。
EMIB-T是英特尔EMIB 2.5D封装的升级版本,通过硅桥、多层布线和硅穿孔(TSV)技术取代大面积硅中介层,并支持HBM整合及不同封装方案间的设计转换。
值得一提的是,联发科采用台积电CoWoS封装,也同步导入英特尔EMIB-T先进封装技术,代表公司封装策略朝向多元化发展,以多技术路径协助客户开发高性能、大尺寸ASIC。