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三星电子2nm良率超预期,泰勒厂预计年底首批流片

来源:综合报道    2026-03-10
三星电子高管代表近日在出席会议时表示,其2nm先进制程的良率爬坡进展好于此前预期。

据韩媒报道,近日,三星电子高管代表在出席会议时表示,其2nm先进制程的良率爬坡进展好于此前预期,同时考虑将产能利用率低的生产线转移至先进封装方向。

对于三星电子位于美国得州泰勒的晶圆厂,企业高管表示该项目当前处于设备安装阶段,预计首批晶圆流片将在2026年底前完成。此前公开的月产能目标为5万片晶圆。