近日，《韩国经济日报》援引业内消息报道称，三星电子的晶圆代工业务已定下2030年前完成1nm级先进制程工艺SF1.0开发并转移至量产阶段的目标。

在1nm制程节点上，三星预计将采用新的晶体管架构，引入“Forksheet”叉片晶体管结构。三星从3nm制程节点引入的GAA（Gate-All-Around）晶体管结构，将电流路径从原有的三个面扩展到四个面，最大限度地提高了功耗效率，而Forksheet则是在这基础上的演进，利用叉形片层技术在晶体管之间加入绝缘墙，从而缩小了晶体管之间的间距。通过消除未使用的空间，同一芯片面积下可以容纳更多晶体管。

此外，三星电子计划2027年实现 SF2P+工艺的商业化投产，特斯拉的AI6芯片则将用SF2T工艺于2027年量产。