9月8日，荷兰光刻机巨头ASML与台积电、三星、英特尔共同发起产业合作，共同开发下一代半导体制造技术，重点推动12寸光罩技术。

三星计划在2028年前首次将ASML高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术用于DRAM量产。该技术可通过更高解析度推动制程微缩，实现制程简化与效率提升。

High NA EUV是在晶圆上印出更细微电路图案的新一代EUV技术，将光学系统的数值孔径由一般EUV的0.33提高到0.55，使设备能分辨及印制更细小的图案。High NA EUV设备解析度可达约8纳米，有助制造更密集的晶体管，并在部分制程减少多重图案化步骤，降低制程复杂度与缺陷风险。

此外，台积电预计自2030年起，将High NA EUV用于先进节点量产。

英特尔持续推进High NA EUV量产准备工作。英特尔表示，High NA EUV已用于部分Intel Core Ultra Series 3处理器、代号Panther Lake的特定制程层。累计处理晶圆超100万片，其中包含设备认证、测试、研发及量产，并非全数为商业量产用途。