8月19日，长电科技宣布在高深宽比先进TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。

长电科技的TSV制备方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在进一步增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更加完整、灵活的一站式制造支撑。

据介绍，此次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积、铜填充等关键工艺展开，制备的TSV孔径为1.5微米、深度为17微米，深宽比达到11.3:1。相较于较大孔径的TSV结构，1.5微米级小孔径对深硅刻蚀精度、孔壁介质层与金属层覆盖以及无缺陷铜填充提出了更高要求。

从应用方向看，高深宽比TSV研发能力可重点支撑两类高端先进封装场景。一类是3D堆叠集成，通过在下层晶圆或芯片中制备TSV，实现芯片之间垂直方向的电气连接。另一类是面向硅中介层等硅基互连结构，通过与再布线、微凸点、晶圆级封装等工艺协同，为2.5D集成、多芯粒互连及高带宽存储集成提供关键工艺支持。