据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。

南亚科技总经理李培瑛表示，AI应用内存的四大关键元素分别是高密度先进DRAM、3D TSV硅通孔工艺与多芯片封装、HBM设计能力、逻辑Base Die。南亚科技目前已完成高密度先进DRAM技术部署，正同伙伴补丁科技、福懋科技一道推进TSV和封装，HBM设计和逻辑制程Base Die则将以战略性投资与合作形式实现。

据称，其定制化DRAM项目预计最快可在2026年取得验证，2026年底至2027年贡献业绩。