近期，中安半导体发布了最新一代灵敏度颗粒缺陷检测设备——ZP8，特征灵敏度达到10.5nm，能够支持更先进制程下的缺陷捕捉，同时有助于提升生产良率，满足严苛的制造需求。

10.5nm灵敏度的战略意义

AI浪潮下，高性能AI芯片正驱动着半导体技术的全方位变革，涵盖了从先进制程逻辑芯片到背面供电（BSPDN），再到HBM（高带宽存储器）、先进封装以及3D IC等所有尖端领域。

在这一演进过程中，中安半导体观察到了两个核心的工艺挑战：

1.    尺寸微缩的极限挑战：随着特征尺寸越来越小，对晶圆（Wafer）表面质量的要求已达到了近乎苛刻的程度。为了保证芯片的可靠性，市场对超平整晶圆（Superflat Wafer）的需求正成为主流。

2.    堆叠架构的物理挑战：在3D IC和层叠技术中，随着堆叠层数的增加，形貌控制与翘曲（Warp）问题愈发凸显。这不仅影响后续的键合工艺，更直接关联到最终的成品率。

于是，在先进制程中尤其需要灵敏度更高、检测尺寸更小的颗粒检测设备提供有效的数据支撑，防止“非关键”的微小颗粒导致电路短路或失效。

中安半导体市场VP初新堂介绍道，随着制程工艺不断下探，逻辑节点每前进一步，能够被定义的“最小关键缺陷”尺寸正在持续收缩。当行业进入3nm技术节点时，工艺对颗粒缺陷的捕捉能力基本需要达到11.5nm甚至更高。中安半导体此次推出的10.5nm设备，正是为了在行业迈入更先进节点时，客户已拥有成熟、稳定的良率监控方案。

技术迭代提速：从26nm稳步下探至10.5nm

中安半导体自2024年推出首款颗粒检测设备ZP3以来，几乎每半年到一年便实现一次技术跨代，最佳灵敏度从26nm稳步下探至17nm、12.5nm，直至如今的10.5nm。这种高频迭代能力，不仅是中安半导体创新能力的体现，更是其对客户制程演进承诺的兑现。

ZP8的突破并非单一环节的优化，而是光学系统、硬件架构与底层算法深度耦合的结果。高性能激光器、定制大数值孔径物镜、高精度气浮转台，以及2D与3D融合算法的联合优化，“软硬结合”共同构成了其挑战物理极限的技术底座。

ZP8的发布仅仅是一个开始，6月正式推向市场后，中安半导体将紧接着开启下一阶段的布局——明年推出更针对15nm HVM环境的颗粒检测设备。“将会在保持高精度的基础上，进一步优化产能与机台稳定性，以更完美的姿态适配量产客户的需求。”中安半导体技术专家说道。

全流程布局：覆盖3D集成、键合工艺与硅片厂解决方案

除了颗粒检测，中安半导体在三维集成与键合工艺领域也进行了系统性布局。随着HBM、背面供电（BSPDN）、先进封装等技术的兴起，键合工艺成为高性能芯片制造的物理基础。

中安半导体的量测机台在这一环节扮演着“导航仪”的角色。通过获取整片晶圆的全场高度信息，精确计算翘曲度，并指导工艺端进行分区补偿调节，从而显著提升键合套刻精度（Bonding Overlay）。实测数据显示，中安半导体量测方案的数据相关性已超过90%，能够帮助客户实现可预测、可控制的良率管理。

针对衬底片客户，中安半导体W系列产品在Mean Thickness、GBIR、SFQR、ZDD等关键指标上表现出极高的重复精度与TOR（可重复性）表现，满足大直径硅片进入先进制程线的严苛要求。

值得一提的是，中安半导体技术专家在媒体问答环节透露，公司目前主要产品线的国产化率已超过95%，在保障供应链安全的同时，也为国内半导体设备自主可控提供了坚实支撑。

从十几人创业团为起点，中安半导体以高频技术迭代、全流程方案布局与高国产化率，成为半导体良率提升的核心伙伴。在半导体设备国产替代的关键窗口期，此次发布的ZP8颗粒缺陷检测设备，不仅是一项技术成果的亮相，更是一份面向未来先进制程的底气。