据韩媒报道，近日，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。

据悉，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产，而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。三星电子首席技术官宋载赫指出，该技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证。

三星电子首席技术官宋载赫声称，通过增加一个类似烟囱结构的独立传热路径，公司降低了芯片运行温度，提高了运行稳定性，预计未来它将在高带宽、高密度人工智能环境下，对提升下一代HBM的性能和系统效率发挥关键作用。