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SK海力士:HBM混合键合工艺良率已得到提升

来源:综合报道    2026-04-30
采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成,目前正在提高良率,以便将其应用于量产。

据韩媒报道,SK海力士日前宣布,其高带宽存储器(HBM)混合键合工艺的良率已得到提升。

SK海力士技术负责人金钟勋(Kim Jong-hoon)表示,采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成,目前正在提高良率,以便将其应用于量产。