据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。

此前，三星在1d nm后的研发方向上曾考虑1e nm与VCT DRAM两种方案，最终选定更具革新潜力的VCT技术，并将1e nm团队整合至1d nm项目中以加速开发。

报道称，VCT DRAM通过三维空间的有效利用显著提升存储密度，但其开发难度极高，需突破传统内存技术限制并采用先进的封装工艺。