据Tower Semiconductor官方获悉，近日，Tower宣布将其成熟且已投入量产的300mm晶圆键合技术平台进行战略性扩展。该技术最初为BIS传感器开发，现成功应用于公司先进的硅光子和锗硅BiCMOS工艺平台，实现异质三维集成电路集成，并获得Cadence设计工具对全系列堆叠平台技术的全面支持。

据悉，Tower凭借多年在200mm与300mm晶圆上的高产量堆叠传感器制造经验，其晶圆键合技术现可实现不同晶圆（如硅光子芯片与锗硅电子集成电路）的堆叠，从而构建完整的晶圆级三维集成电路。该技术将不同工艺平台的特定功能集成至单一高密度芯片，以更小的尺寸实现更强的功能与性能。此项晶圆级三维集成电路技术支持CPO等新兴应用领域，通过融合光子集成电路与电子集成电路，实现紧凑高效的高性能集成。

Tower已成功验证其晶圆键合工艺的精确对准能力与可靠性。在工艺技术之外，其与Cadence设计系统合作扩展了Virtuoso Studio异构集成设计流程，该工具可在统一设计环境中实现多工艺技术的协同仿真与验证。这套与Tower锗硅BiCMOS及硅光子工艺设计工具包兼容的新型三维集成电路设计流程，已获得双方公司的全面支持，将大幅提升复杂多技术芯片项目的一次流片成功率。