据ZDNET Korea报道，三星电子正在加快其位于平泽第五园区（P5）的首条量产生产线（Ph1）的建设。

据悉，三星电子正与主要设备供应商商讨将Ph1设备安装的目标时间从原定的明年第三季度提前至明年第二季度。此举被解读为三星电子为应对人工智能（AI）领域对高价值DRAM和NAND闪存的激增需求，迅速确保产能的决心。

P5是三星电子目标于2028年投产的下一代半导体生产基地。公司从今年第三季度开始建设Ph1用洁净室。

此前，三星电子曾计划明年年初建成P5 Ph1洁净室，但已将日程提前约6个月。因此，P5 Ph1设备导入也曾预定在明年第三季度左右。但最近三星电子的P5设备投资速度进一步加快。

一位业界相关人士表示：“三星电子已传达意思，P5 Ph1设备搬入将从原定明年7-8月提前到明年5-6月左右开始”。

与此同时，P5 Ph2投资讨论也在进行中。目前P5 Ph1为DRAM和高带宽存储器（HBM）产线，Ph2很可能被建设为第10代（V10）等最尖端NAND产线。