据DigiTimes近日报道，美光科技正在研究一种高耐久性NAND闪存模块，计划将其部署在距离GPU更近的位置。

该产品方案被暂称为“近GPU NAND”，核心思路是让GPU能够直接访问数百GB级别的NAND存储池，存储模块可放置在GPU封装内部或PCB板上，工作方式与HBM、GDDR7等现有高带宽存储方案类似。与传统TLC或QLC NAND相比，这种NAND芯片的存储密度更低，重点在于提升I/O速度、带宽。

从存储级看，它位于显存与普通存储之间，可充当高速缓冲层，因此适用于运行大规模的AI大语言模型。

美光方面尚未公布具体产品时间表及技术参数细节。