据韩媒报道，SK海力士近日发表论文，提出了一种新型半导体结构名为“H³（hybrid semiconductor structure）”，该结构采用了HBM和HBF两种技术。

据了解，在仿真实验中，将8颗HBM3E与8颗HBF芯片并置于英伟达Blackwell GPU旁，结果显示，相比仅使用HBM的配置，每瓦性能最高可提升2.69倍。这一架构通过优化存储层级，兼顾高速计算与高效能数据缓存，有望显著提升AI计算系统的能效比。

目前该技术处于研究验证阶段，尚未宣布量产时间表。