您的位置:首页 设计制造

力旺电子和联华电子合作22纳米RRAM可靠度验证 提供AIoT和行动通讯市场的低功耗内存解决方案

来源:大半导体产业网    2023-03-28
双方将扩大开发车规级RRAM合作

硅智财供货商力旺电子(eMemory)与全球半导体晶圆制造领导厂商联华电子今(28)日宣布,力旺的可变电阻式内存(RRAM)硅智财已通过联电22纳米超低功耗的可靠度验证,为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式内存解决方案,未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM

力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb信息储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能,可用于IoT设备中的微控制器和智能电源管理IC的编码储存,还可以支持人工智能之内存内运算架构。联电提供22纳米的0.8V/2.5V RRAM平台,使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。

「对40纳米、22纳米和高阶制程而言,RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式内存选项。力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求,在22纳米 0.8V/2.5V 平台实现更高的储存密度(16Mb)、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。」力旺电子技术长暨第二事业群总经理林庆源表示:「此外,我们继续推进在0.8V/1.8V ULP上的开发。凭借其用于读取和写入模式的低工作电压,力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案,并可扩展至更多制程节点。」

联电技术开发部副总经理徐世杰表示:「随着AIoT应用不断地拓展,市场对低功耗非挥发性内存的需求逐渐增加。力旺电子的IP成功的在联电22纳米RRAM平台完成验证,为客户在开发下一代产品时提供更强大的内存解决方案。联电致力于提供多元和差异化的特殊制程技术,我们很高兴与力旺电子合作,持续强化AIoT与车用市场的嵌入式内存方案。」

力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留,并可承受高达105度的高温。为了方便用户,这款RRAM IP设计具备友善的接口、完整的用户模式和测试模式,并可在0.8V/2.5V标称双电压接口下进行编程。RRAM不需对前端制程做额外调整,并采用低温后端制程,几乎不会产生额外的热预算,因此备受市场期待。与分离闸闪存(split-gate Flash)相比,RRAM具有相对简单的结构、使用较少层的光罩、较友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在对性能要求相对严格的汽车应用中,RRAMMRAM相比,具有更佳的抗磁能力。

0