1月20日消息，据韩媒ETNews报道，SK海力士位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂已完成制程升级，主要生产工艺从1znm跃升至更先进的1anm（第四代10纳米级）技术节点。

数据显示，该厂当前每月18-19万片12英寸晶圆的投片量中，已有约90%转换为1anm制程。值得注意的是，由于1anm工艺需要依赖极紫外（EUV）光刻设备，而相关设备受到出口管制限制，无锡工厂生产的1anm产品需在韩国完成部分关键制造步骤。