大半导体产业网消息，天岳先进7月8日晚间发布公告称，拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资“8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目”。

公告显示，8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目投资总额3.86亿元，建设周期为24个月，主要研发方向包括碳化硅生长热场仿真、碳化硅单晶应力控制、碳化硅单晶微缺陷控制、导电型碳化硅电阻率控制等。

天岳先进表示，本次项目紧密围绕公司主营业务，以8英寸碳化硅衬底关键技术提升、工艺优化的研发攻关目标，进行高品质车规级8英寸碳化硅衬底关键技术的持续创新，以及进行工程化研发试验。公司通过自主研发创新，持续提升8英寸碳化硅衬底制备工艺，这将有助于保障我国产业链安全，并推动碳化硅半导体材料在新能源汽车、新型能源体系等领域的国产化应用。