大半导体产业网消息，6月10日，灿芯股份在接受机构调研时表示，2025年第一季度，公司多个芯片定制项目进入设计阶段且预计将于本年度内流片。

公司提供设计服务的MRAM控制芯片项目，该芯片在国产自主工艺平台上进行逻辑控制设计，实现了国产MRAM存储的突破，且基于其成本方面的优势，可在后续SoC设计过程中逐步替换外挂FLASH及片上SRAM等低速应用场景，该芯片预计后续将进行多次迭代，具有较大的商业化前景。

此外，公司在多工艺平台IP研发领域取得多项积极进展。基于28HKC+工艺平台的DDR、SerDes、PCIe、MIPI、USB等高速接口IP已完成验证并实现量产交付，能够为数据中心AI加速芯片、车载SoC等高性能场景需求提供支持，同时
上述IP集成先进信号完整性（SI）和电源完整性（PI）设计，能够提升IP在复杂电磁环境下的可靠性。

在28HKD工艺平台上，全线DDR、SerDes、PCIe、MIPI、USB IP完成客户小批量验证，新增的PSRAM和EMMC IP产品线进一步补充了公司在低功耗存储接口领域的布局。同时结合3D封装技术优化IP互连效率，上述IP适配Chiplet架构对高带宽、低延迟的需求，能够助力客户实现异构集成设计。在高性能模拟IP方面，公司自研的4.5GHz 小数分频锁相环（PLL）通过高精度与高频性能核心特性与能力，为多工艺平台的一站式芯片定制业务提供关键技术支撑，可广泛应用于物联网、工业控制、消费电子及网络通信等领域，为不同行业提供定制化时
钟解决方案。