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总投资35亿元!山东菏泽砷化镓半导体项目开工奠基

来源:大半导体产业网    2024-02-29
一期计划建设4/6吋砷化镓生产线,二期计划建设4/6吋第三代化合物半导体GaN和SiC生产线。

据菏泽市牡丹区吴店镇官微消息,2月26日,吴店镇举办2024年春季重点项目建设现场推进会。活动现场,菏泽市牡丹区砷化镓半导体项目开工奠基。

据悉,菏泽市牡丹区砷化镓半导体项目是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设,项目总投资35亿元,计划分两期实施:

一期工程计划投资15亿元,建设4/6吋砷化镓生产线,主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品:年产芯片6万片。建设期1.5年,预计2025年7月试生产。量产后年产值达15亿元,每年可上缴税收1.3亿元,该产品40%出口,每年可创造外汇3000万美元。

二期工程计划投资20亿元,建设4/6吋第三代化合物半导体氮化镓GaN和碳化硅SiC生产线,主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器,以满足多元化市场需求。二期工程计划2026年下半年开工建设,预计2028年上半年投产,二期工程量产后年产值达30亿元,每年可上缴税收2.6亿元,每年可创造外汇7000万美元。

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