自美光科技（Micron）官网获悉，当地时间周一，美光科技宣布其位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约240亿美元（约合人民币1,670亿元），预计2028年下半年投产。

据悉，该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后将提供约70万平方英尺的无尘室空间，将有助于美光满足由人工智能和数据驱动应用迅速扩张所带动的对NAND闪存不断增长的市场需求。这座新工厂将成为美光在新加坡的NAND闪存卓越中心的重要组成部分，该设施提供了支持持续技术转型所需的关键产能，使美光能够满足对先进存储解决方案的长期需求。

此外，美光此前宣布的位于同一新加坡制造园区的高带宽内存（HBM）先进封装工厂，预计将在2027年为美光的HBM供应做出重要贡献。随着HBM成为美光新加坡制造版图的一部分，该公司预计NAND和DRAM生产之间将出现协同效应的机会。美光将保持灵活性，以根据市场需求调整新工厂产能扩张的速度。