近日，长鑫科技披露了在DRAM器件、4F² DRAM架构研发等方面取得的进展。

在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布，预计年底将推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

据了解，目前DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F²是衡量 DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。

4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，同面积存储密度可提升30%至50%。

从6F²到4F²的跨越，本质上代表晶体管沟道方向从水平布局向竖立布局的根本性变革，设计和工艺流程无法完全复用，需要整合新一套的工艺流程。据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来便启动了4F²的研究与专利布局，公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商。

据曹堪宇介绍，4F²架构最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。

4F²架构首代产品定为DDR5 RDIMM，与消费级低功耗内存产品不同，DDR5 RDIMM作为服务器市场的主流配置，需要支持服务器7×24小时不间断运行，能经受带电热插拔的电压冲击，必须与不同厂商、不同代际的CPU和主板完成数百项严苛的兼容性测试，同时在更要高速传输时，确保信号在较长的模组走线上不衰减、不误码。

不过，此次演讲未提及长鑫即将推出的DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。