据清纯半导体官微消息，近日，复旦大学宁波研究院重大产业化项目-清纯半导体研发基地启用仪式成功举办。

（图源：清纯半导体官微）

官方消息显示，清纯半导体研发基地总面积4600平米，建设四大实验平台：一楼建设器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台；三楼建设可靠性及应用平台；四楼建设器件测试及老化平台；实验室总规划面积超2500平米，配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，平台总投入近亿元，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力；完善的硬件设施及国际先进的实验设备时刻为公司的前沿创新、技术研发和产品质量保驾护航。

据悉，清纯半导体成立于2021年3月，短短一年多的时间里便突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，产品性能达到国际领先水平，取得多项业内瞩目的成就。先后推出国内首款15V驱动SiC MOSFET及国内最低导通电阻SiC MOSFET，并通过AEC-Q101车规认证和更严苛的HV-H3TRB测试，服务于多家终端客户。