据天成半导体官微消息，近日，天成半导体宣布继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30㎜，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道上取得关键性突破。

（14英寸碳化硅原生晶锭  图源：天成半导体）

据悉，此次研制出的14英寸碳化硅单晶材料主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件。

据了解，天成半导体在2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。可满足新能源汽车、AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域的迫切需求。