CS Asia亚洲化合物半导体大会开幕主题演讲，聚焦化合物半导体从技术突破迈向规模量产的产业跃迁之路，汇聚全球顶尖技术领袖和专家代表，围绕SiC、GaN、MicroLED等关键技术展开深度探讨。
SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙在致辞中表示，全球半导体产业在经历前期的下行周期后，正迎来新一轮增长机遇，预计未来六年将保持稳定增长，市场规模有望突破1万亿美元。当前行业正面临三大关键趋势的深刻影响：首先，地缘政治格局的剧烈变化，特别是欧洲和中东局势的不确定性，正在加速全球半导体供应链的区域化重组和体系重构；其次，全球经贸秩序的重塑导致关税壁垒高企，对半导体产业形成显著冲击，企业运营成本持续攀升；最后，以ChatGPT和DeepSeek等生成式AI工具为代表的AI革命正深刻改变产业格局，先进芯片的算力需求成为推动这场技术革命的基础动力。尽管当前面临诸多挑战，但半导体产业展现出强劲的韧性——正如"寒潮弥昧"所预示的，在经历短暂调整后，行业必将迎来"繁花似锦"的发展新阶段。当下正是"芯海智潮启新峰"的关键时刻，面对"乱云骤雨"般的复杂环境，产业界更需要保持战略定力，把握AI革命和绿色转型带来的历史性机遇，共同开创半导体行业更加辉煌的未来。居总还特别呼吁产业同仁积极参与"SEMI Forest"项目，共同推动节能减碳，引领绿色可持续发展。
论坛由广东晶科电子股份有限公司/广东芯粤能半导体有限公司董事长肖国伟全程主持。
德国爱思强公司执行董事会主席、CEO兼总裁Felix J. Grawert 就《化合物半导体-成熟"芯"时代》做了演讲。他回顾了MOCVD技术发展历程：1968年首次实现GaAs生长，1986年完成技术产业化转移，1987年推出首台商用设备。他指出，在数据爆炸（移动流量年增19-25%）与绿色转型双重驱动下，化合物半导体正重塑产业格局：射频芯片满足5G需求，高效功率器件支撑电气化交通，Micro LED推动显示革命。Felix J. 强调，随着"显示与计算的边界消失"，传感器融合与超低功耗技术将成为下一代智能设备的核心。爱思强持续通过MOCVD技术创新，助力行业应对带宽、能效与沉浸式体验的终极挑战。
英飞凌奥地利股份公司高级副总裁兼总经理SCHOISWOHL Johannes为我们分享了《下一代功率半导体（SiC 和 GaN），实现脱碳和数字化世界》主题演讲。他指出基于氮化镓（GaN）的双向开关技术，为单级功率系统提供更高效率和功率密度。GaN凭借其优异的材料特性、丰富的产品组合及拓扑结构，全面满足车载充电器（OBC）等应用的发展趋势。作为功率半导体领域的全球领导者，英飞凌在Si、SiC和GaN技术上拥有无可匹敌的产品组合与专业知识，持续推动行业创新，助力客户实现更高效、更紧凑的电源设计。
亚舍立科技CEO兼总裁Russell Low通过探讨《功率及化合物半导体器件中的离子注入技术革新》提出，随着全球对清洁高效能源解决方案的需求不断增长，功率半导体的重要性日益凸显。Axcelis作为离子注入技术的领导者，推出优化的Purion VXE质子注入系统，为半导体制造提供更高可靠性和产能。该系统基于成熟的Purion VXE平台，采用线性加速器（LINAC）技术，具备优化的冷却能力，适用于薄晶圆应用。Axcelis凭借广泛的产品组合和深厚的技术专长，为客户提供灵活、高效的离子注入解决方案，助力功率半导体制造实现更高成本效益。
錼創科技董事长李允立博士就《MicroLED前瞻顯示技術量產策略与发展趋势》做了演讲。他在汇报中阐述了MicroLED Display 是一种创新的显示技术，具有高亮度、广色域、高开口率和极佳的可靠性。MicroLED 技术代表着一个新的显示技术时代，它正在迅速进入量产阶段，可用于传统的显示应用，更可以应用于各种创新显示技术上，例如 AR 眼镜、透明显示器、电动车或其他新的使用情境，让显示的应用能扩展到更多的领域。为此，如何快速降低成本，让 MicroLED 能被更广泛地采用是最重要的课题。
宜普电源联合创始人曹建军在《用于高密度 DC-DC 转换的下一代 GaN 平台》的演讲中提出聚焦EPC新一代GaN器件在48V-12V转换器的突破。据介绍，新一代100V EPC2367通过优化场板结构与外延层设计，实现1.2mΩ导通电阻与54nC Qoss，较前代芯片面积减少30%，电路性能树立了新的标杆，温度循环性能极佳。同步推出的40V EPC2366采用PQFN封装，Qoss减少至15nC，较同类MOSFET节省50%面积，且通过1000次-40℃~125℃热循环测试。
山东天岳先进CTO高超就《200mm SiC衬底进展和300mm SiC衬底的机遇与挑战》展开了探讨。他提出山东天岳在碳化硅（SiC）衬底技术领域取得重大进展，展示了200mm SiC衬底的量产技术突破及300mm SiC衬底的研发成果。作为全球领先的宽禁带半导体材料供应商，山东天岳通过持续技术创新，解决了大尺寸SiC衬底生产中的关键挑战，为行业提供了更高性能、更具成本效益的解决方案。
亚洲化合物大会开幕演讲嘉宾从不同方面呈现了化合物半导体凭借其高频率、高功率、耐高温和光电性能优势，勾勒出化合物半导体在5G/6G通信、新型显示、新能源汽车、智能电网等领域的广阔应用前景。随着全球碳中和进程推进，人工智能时代的到来，未来，化合物半导体将与硅基技术互补，成为数字经济和高性能电子设备的基石，重塑全球半导体产业格局。