据韩媒报道，三星可能将其在建研发设施的一条生产线转产，用于制造HBM内存芯片的基础逻辑裸片。该设施预计约两年后启用，相关计划仍可能调整。

报道指出，三星有意将其位于韩国器兴工业区的NRD-K Line 2转为代工产线，采用“Send-Fab”模式，生产2纳米HBM基础裸片，并补充道，这些裸片可能用于英伟达的AI芯片。

据悉，三星最初讨论过投资建设DRAM量产生产线，但近期拟将该生产线改用作代工晶圆。

NRD-K是三星正在建设的超大型尖端符合研发园区，三星计划在2030年前投入约20兆韩元，在此园区内打造3条生产线。