4月14日，晶盛机电披露最新投资者关系活动记录表，汇报公司碳化硅衬底材料的进展及产能布局情况。

其中提到，晶盛机电基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，已攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功建设12英寸碳化硅衬底加工中试线，并基于下游应用，向产业链客户进行送样验证。

同时，积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取海内外客户的批量订单。基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，形成“国内 + 海外”双产能布局。