SK海力士于10月14日披露了其使用铁电三维NAND（3D FeNAND）进行模拟内存计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果。相关研究成果已发布在IEEE论文中。

据介绍，A-CiM利用模拟信号直接在存储器内部执行计算。3D FeNAND利用铁电材料的极化状态来存储数据并控制电流。

据SK海力士称，FeNAND可在单个单元内产生多个电流状态，适合AI计算所需的权重数据。

SK海力士研究人员对单元、非单元电路和页三个领域进行了协同优化，以提高FeNAND的计算性能。模拟显示，基于3D FeNAND的A-CiM实现了比传统非易失性存储器高20倍的吞吐量和5000倍的能效。