大半导体产业网消息，11月19日，2025英特尔技术创新与产业生态大会在重庆开幕。英特尔CEO陈立武发表公开演讲。

会上，英特尔宣布公司18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术，实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比，18A工艺在相同能耗下性能提升 15%，晶体管密度提升30%。

英特尔表示，该技术是英特尔下三代技术的基石，公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。