据光电子先导院官微消息，11月4日，陕西光电子先导院总经理杨军红在产业高峰会议上宣布，由光电子先导院建设的“8 英寸先进硅光集成技术创新平台”（简称“8英寸硅光平台”）已正式通线，并发布了一款无源SOI（绝缘衬底上的硅）集成超低损耗氮化硅产品的PDK（工艺设计套件）。

据介绍，作为西北地区首条硅光中试线，8英寸硅光平台的正式通线，不仅填补了区域硅光芯片中试领域空白，更成为陕西“追光计划”实施以来的标志性成果。

该平台总投资7.5亿元，于2023年底启动建设。截至2025年9月末，已完成全部场地及硬件设施建设。该平台引进了比利时IMEC“130nm硅光芯片工艺包”，并引入了光刻、刻蚀等60余台（套）关键核心设备，在130nm有源集成硅光主工艺平台基础上，开发90nm以上先进工艺，已构建起自主可控的先进工艺体系。

作为“追光计划”的核心支撑平台，光电子先导院已累计投入约15亿元构建“6英寸化合物芯片+8英寸硅光芯片”双中试平台，此前6英寸化合物平台已服务50余家企业，如今硅光平台的加入，将与西安科学园的先进阿秒激光设施、光子传感园的产业化载体形成联动，为“追光计划”培育千亿级集群提供从基础研究、中试验证到量产落地的全链条支撑。

值得一提的是，活动现场，光电子先导院还正式发布了一款无源SOI（绝缘衬底上的硅）集成超低损耗氮化硅产品的PDK（工艺设计套件）。预计将于2026年完成有源产品通线，包含高性能调制器、探测器等核心器件，将加速可应用于人工智能、光通信、光计算、智能驾驶、低空飞行、医疗健康等领域的产品迭代进程，将大幅缩短光电、硅光客户的流片周期和研发成本。